宽禁带功率器件自动化测试系统方案

       用于晶圆级或封装宽禁带功率器件的自动化参数测试，支持-50至+220℃温度范围内的温度特性验证。对于封装器件，可以定制开关 矩阵，实现多器件自动化全参数测试。

系统概述

       碳化硅 (SiC)和氮化镓 (GaN)等全新宽带隙材料能够支持大电压和高切换速度，第三代宽禁带功率半导体器件已经在智能电网、电动汽车、轨道交通、新能源并网、开关电源、工业电机以及家用电器等领域得到应用，并展现出良好的发展前景。在高电压直流偏置条件下 (高达3 kV)，高击穿电压(达10 kV)、大电流(数千安培)、栅极电荷以及连接电容表征和器件温度特征测量功能都十分必要，是推动新器件尽快上市的重要保证。

       可配置Keysight B1505A/06A,B1500,CX3300A和探针台以及夹具，支持晶圆级（手动与自动）以及封装器件的测试。可进行高精度和自动的CV测试（3000V偏压），Qg测试（独家），电流崩塌测试（针对GaN器件，独家）和变温热效应测试。其最大电压测试能力可达10KV，电流测试能力1500A，快脉冲能力10μs，μΩ级导通电阻测量分辨率，以及亚pA级电流测量能力，可以自动测试动态参数如电容和栅极电荷。电流波形分析仪可精确测量宽带低电平电流波形，不忽略任何瞬态电流，提高测试效率。

系统特性

 • 支持晶圆级和封装功率器件参数测试

 • 可以测试静态IV参数，动态电容和栅极电荷等参数

 • 支持温度特性测试，温度范围覆盖-50至+220℃

 • 可定制各种类型的封装器件测试夹具

 • 可以定制开关矩阵和自动化测试软件，实现多器件自动化参数测试，提高测试效率

系统软件及报表截图

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